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市场研究公司 Counterpoint Research 表示，由于人工智能的扩张，预计 2025 年内存价格将大幅上涨，然后在 2026 年上涨高达 20%。
该公司表示，内存价格将在 2025 年上涨 50%，但 2025 年第四季度可能会上涨 30%，2026 年初可能会再上涨 20%。
Counterpoint 在其研究报告中指出，“主要问题之一是，SK 海力士和美光科技（以下简称美光）等供应商已转向生产更先进的高带宽内存（HBM）以满足人工智能的需求，导致传统内存 LPDDR4 短缺。”
报告指出，现货价格失衡已经出现，服务器和个人电脑使用的 DDR5 内存交易价格约为每千兆 1.50 美元，而消费电子产品中使用的较旧的 DDR4 内存交易价格为每千兆 2.10 美元，甚至超过了价格徘徊在每千兆 1.70 美元左右的最先进的 HBM3E 内存。
Counterpoint表示：“供应商正争先恐后地满足需求，预计到2026年，DRAM产量将增长超过20%。”
Counterpoint 研究总监黄先生在报告中写道：“电子（以下简称三星）可能会重新分配其不断扩大的 1C 工艺产能，SK 海力士正在提高产量并提升销售目标，中国最大DRAM 供应商的业绩可能超出预期，而通常对投资回报率要求严格的美光科技也可能不会有所保留。更大的风险在于先进内存领域。英伟达最近转向采用 LPDDR 的战略，使其成为一家大型智能手机制造商级别的客户。这对供应链来说是一个巨大的变化，供应链难以轻易消化如此巨大的需求。”
HBM 供应商 SK 海力士在其 2025 年 10 月的最新财务报告中称，由于“DRAM 和 NAND 价格上涨以及用于 AI 服务器的 HBM 产品出货量增加”，该公司实现了有史以来最高的季度业绩。
凭借强劲的HBM销售业绩，SK海力士在2025年暂时超越三星，成为全球最大的内存制造商。该公司在2025年10月发布的财务业绩公告中表示：“随着人工智能市场迅速转向推理驱动型工作负载，将人工智能服务器的计算负载分配到更广泛的基础设施（例如通用服务器）上的兴趣日益浓厚。我们预计这些趋势将进一步扩大对我们全线内存产品（包括高性能DDR5和eSSD）的需求。”
SK海力士计划加速向10纳米制程过渡，这是其目前量产的最先进的1c DRAM制程。该公司表示，采用更精细的制程节点将使其能够建立涵盖服务器、移动和图形应用领域的“完整”DRAM产品线。
SK海力士的旗舰产品HBM4计划于2025年第四季度开始出货。在人工智能内存需求激增的情况下，该公司表示，其2026年DRAM和NAND闪存的生产已“得到充分的客户保障”。
Counterpoint 表示，虽然内存价格上涨主要影响智能手机制造商，但电子行业的其他公司也面临风险。
Counterpoint 高级分析师 Ivan Lam 在报告中表示：“智能手机和消费电子生态系统可能会感受到这种痛苦，智能手机出货量可能会大幅增加（某些型号的出货量可能超过 25%），这可能会降低利润率，并影响高端和中端关键细分市场的增长。”
报告总结道，该行业面临产能限制和价格上涨，迫使供应商和制造商做出“痛苦的”权衡。
（ 来 源 ： 综合自 eetjp ）
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