在当前半导体繁荣周期中，长鑫科技集团股份有限公司是国内最大的DRAM扩产主体之一。5月17日更新的科创板IPO招股书显示，2026年一季度，长鑫科技实现营收508亿元，归母净利润247.6亿元，并预计上半年归母净利润为500亿至570亿元。
同一季度，SK海力士和三星电子存储芯片业务的营收分别为约2700亿元和3800亿元人民币。这意味着长鑫科技的季度营收相当于SK海力士同期的约五分之一。从业务结构来看，长鑫科技主要专注于DRAM，而SK海力士约三成营收来自NAND闪存。因此，长鑫科技在某种程度上正在成为中国版的“海力士”。
全球存储行业长期由三星、SK海力士和美光科技主导，长鑫科技是近年来最接近行业头部位置的新进入者。从招股书信息看，长鑫科技能够完成从DDR4到DDR5的产品切换，并将毛利率从两年前的-112%提升到40%以上，这需要其背后的供应链同步支撑。
制造一块DRAM芯片涉及数百道工序，每一道工序都需要专用设备。一位半导体设备行业的工程师表示，过去国产设备缺乏量产产线验证的机会，而长鑫科技和长江存储的大规模扩产提供了这一机会。
制造DRAM芯片的主要流程包括薄膜沉积、光刻定义电路图案、刻蚀去除多余部分、化学机械抛光等。这些过程涉及大量专用设备。一位投资人指出，在DRAM产线的设备资本开支中，刻蚀和薄膜沉积设备合计约占50%，其次是光刻设备，再次是量测检测设备。尽管应用材料、泛林集团、东京电子等美日厂商仍占据主要市场份额，但国产设备在国内存储产线上的渗透率正在快速提升。
目前，长鑫科技的国产设备占比约为四成到五成。长江存储武汉三期工厂的国产设备采购占比已过半，核心工序的国产化率超过60%。但在某些环节如量测检测、涂胶显影等，国产化率仍然较低。
北方华创是目前国内覆盖品类最全的半导体设备公司之一，其2025年的财报数据显示，刻蚀设备和薄膜沉积设备收入均超过百亿元。中微公司也是国内主要的刻蚀设备厂商，其自主开发的超高深宽比刻蚀机已在存储产线实现量产。拓荆科技则专注于薄膜沉积设备，2026年一季度实现营收11.12亿元，同比增长57%。
除了刻蚀和薄膜沉积设备，CMP和测试也是DRAM制造的重要环节。华海清科的CMP装备已广泛应用于逻辑芯片、3D NAND、DRAM等主流工艺平台。精智达自主研发的高速FT测试机速率达到每秒90亿比特，超过了日本爱德万主力机型的水平。
长鑫科技2026年二季度已开启新一轮设备招投标，全年计划扩产约5万至6万片晶圆，对应的设备采购需求或在350亿至430亿元人民币。此外，长江存储2号厂房的工艺设备采购及安装项目也已于5月启动招标。两家国内存储龙头同步进入了设备采购的密集期，对国产半导体设备厂商来说，好日子可能才刚刚开始。
设备是一次性投入，但材料不同，每一片芯片晶圆在制造过程中都要持续消耗化学品、气体、光阻剂、靶材等各类原料。长鑫科技在招股书中披露了其原材料的采购情况：2025年，原材料采购总额约114.7亿元。其中，前驱体是用量最大的特种化学品之一，雅克科技是国内半导体前驱体材料领域规模较大的公司之一。
CMP是芯片制造中实现晶圆表面平整化的关键工序，安集科技是国内CMP抛光液的龙头企业，2026年一季度营收创下单季度新高。晶圆制造还需要大量高纯度的特种气体，如六氟化钨、三氟化氮等。由于用量大且纯度要求苛刻，晶圆厂通常不会外购瓶装气体，而是由专业供应商直接在厂区内建设制气站。
长鑫科技在招股书中提到，“加大国产供应商导入力度”是降本增效的措施之一。多位业内人士表示，国产半导体设备和材料公司过去面临的最大困难是缺少在产线上验证的机会。长鑫科技正在填补这个空缺，为国产设备提供重要的技术验证和商业化应用机会。
根据市场研究机构Omdia的数据，全球DRAM市场规模预计将从2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，年均复合增长率超过30%。长鑫科技2026年一季度的全球DRAM份额已达9.7%，而2025年二季度仅为3.97%。如果新一代工艺平台的国产化率超过40%元鼎证券，仅长鑫科技这一笔IPO募投就将为国产设备公司带来近百亿元的订单。
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